[发明专利]磁性石榴石单晶及使用其的光学元件和单晶的制造方法有效
| 申请号: | 200580039676.0 | 申请日: | 2005-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN101061263A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
| 发明(设计)人: | 大井户敦 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
| 主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;C30B19/00;G02F1/09 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;李平英 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及通过液相外延(LPE)法生长的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法,其目的在于提供降低了铅含量的磁性石榴石单晶及使用该磁性石榴石单晶的光学元件及单晶的制造方法。本发明涉及一种通过液相外延生长法生长得到的用化学式BixNayPbzM13-x-y-zFe5-wM2wO12表示的磁性石榴石单晶(式中的M1表示从Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出的至少1种以上元素,M2表示从Ga、Al、In、Ti、Ge、Si、Pt中选出的至少1种以上元素,0.5<x≤2.0、0<y≤0.8、0≤z<0.01、0.19≤3-x-y-z<2.5、0≤w≤1.6)。 | ||
| 搜索关键词: | 磁性 石榴石 使用 光学 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁性石榴石单晶,其特征为,该磁性石榴石单晶是通过液相外延生长法生长得到的,用化学式BixNayPbzM13-x-y-zFe5-wM2wO12表示,式中的M1表示从Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中选出的至少1种以上元素,M2表示从Ga、Al、In、Ti、Ge、Si、Pt中选出的至少1种以上元素,0.5<x≤2.0、0<y≤0.8、0≤z<0.01、0.19≤3-x-y-z<2.5、0≤w≤1.6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580039676.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:卫星天线自动回收控制方法
- 下一篇:一种含有克霉唑的阴道片





