[发明专利]等离子体排放装置中的介电部件的热控制无效
| 申请号： | 200580038869.4 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101057319A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 贾斯廷·莫克;史蒂夫·狄龙;胡安·何塞·冈萨雷斯;安德鲁·沙巴林 | 申请（专利权）人： | 先进能源工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23C16/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种等离子体排放装置，其具有改进所述装置中的介电材料的热控制和保护的结构。本发明大体包括等离子体约束室，其至少部分地由介电材料构成，而冷却设备安置成与所述室的介电表面接触，以便大致均匀的散热。所述冷却设备可被嵌入包封材料中，其改进了从介电等离子体室吸热的均匀性。通过改进从等离子体排放装置的介电室吸热的均匀性，本发明允许了等离子体排放装置在显著提高的能量级别上的可靠的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 排放 装置 中的 部件 控制 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体排放装置，包括：a)用于容纳等离子体的排放室，所述排放室包含介电材料，其暴露于由所述等离子体所产生的热量；以及b)RF能量源，其借助于绕所述排放室安置的感应盘管而将RF能量耦合进入所述等离子体中，所述感应盘管还被设置为与所述介电材料的表面接触的冷却设备，以便大致均匀地从所述介电材料的表面吸热。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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