[发明专利]具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200580037551.4 | 申请日： | 2005-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101164149A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | R·蒙哥马利 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L31/119 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种沟槽型的功率半导体设备，包括所述沟槽内沉积的而非生成的氧化物，从而将设置在所述沟槽内的电极电隔离于所述半导体主体。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沉积 氧化物 沟槽 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体设备，包括：半导体主体，包括具有一种导电性的漂移区以及在所述漂移区上具有另一种导电性的通道区；至少通过所述通道区在所述半导体主体中形成的栅极沟槽，所述栅极沟槽包括侧壁和底部壁；设置在所述沟槽底部的氧化体；形成在所述氧化体上的栅电极；以及介于所述沟槽的侧壁和所述栅电极之间的栅极氧化物，其中所述氧化体不如所述栅极氧化物紧致。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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