[发明专利]具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种功率半导体设备，包括：

半导体主体，包括具有一种导电性的漂移区以及在所述漂移区上具有另一种导电性的通道区；

至少通过所述通道区在所述半导体主体中形成的栅极沟槽，所述栅极沟槽包括侧壁和底部壁；

设置在所述沟槽底部的氧化体；

形成在所述氧化体上的栅电极；以及

介于所述沟槽的侧壁和所述栅电极之间的栅极氧化物，其中所述氧化体不如所述栅极氧化物紧致。

2.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述氧化体包括TEOS。

3.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其中所述氧化体被沉积并且所述栅极氧化物被生成。

4.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其进一步包括场释放沟槽，所述场释放沟槽包括具有凹部的场氧化体，以及至少部分容纳于所述凹部内的T形电极。

5.根据权利要求4所述的功率半导体设备，其进一步包括电连接到所述T形电极的功率电极。

6.根据权利要求5所述的功率半导体设备，其进一步包括介于所述半导体主体和所述功率电极之间的硅化体。

7.根据权利要求5所述的功率半导体设备，其进一步包括介于所述T形电极和所述功率电极之间的硅化体。

8.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其进一步包括

场释放沟槽，该场释放沟槽具有场氧化体以及置于场氧化体内的场电极，

至少一个高导电区，形成在场释放沟槽的至少一个侧壁中，具有与所述通道区相同的导电性，以及

功率电极，电连接到所述场电极和所述至少一个高导电区。

9.根据权利要求1所述的功率半导体设备，其进一步包括置于所述栅电极上的氧化物盖。

10.一种制造功率半导体设备的方法，包括：

在半导体主体中形成沟槽，所述沟槽具有多个侧壁以及一个底部；

在所述沟槽的底部沉积氧化体；以及

在所述氧化体上形成电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括在形成所述电极之前在所述侧壁上生成栅极氧化物。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括在所述氧化体上的所述沟槽的各个侧壁上形成隔片，所述隔片互相间隔，并且去除所述氧化体的局部以在其中形成凹部。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括在所述沟槽内侧沉积导电体以至少填充所述凹部，并且去除所述导电体的局部以在所述沟槽中形成T形电极。

14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括形成具有多个侧壁和一个底部的场释放沟槽，在所述场释放沟槽的所述底部形成另一个氧化体，在所述另一个氧化体上的所述场释放沟槽的各个侧壁上形成隔片，所述隔片互相间隔，并且去除所述氧化体的局部以在其中形成凹部。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述场释放沟槽内侧沉积导电体以至少填充所述凹部，并且去除所述导电体的局部以在所述沟槽中形成T形电极。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括对所述半导体主体进行硅化，并且在所述半导体主体的所述硅化部分上形成功率接触。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包括对所述T形电极的局部进行硅化。

18.根据权利要求14所述的方法，其进一步包括在所述场释放沟槽的所述侧壁中形成高导电区，并且形成与所述高导电区电接触的功率接触。

19.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括在所述沟槽的所述侧壁中形成高导电区，并且形成与所述高导电区电接触的功率接触。