[发明专利]用于差错检测和工艺控制的等离子体离子注入监视系统有效
| 申请号： | 200580021855.1 | 申请日： | 2005-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1977352A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 方子伟;高圣天;埃德蒙·J·温德;丹尼尔·迪斯塔索;卢多维克·戈代;高本雄;贾伊·T·朔伊尔 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备联合公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体离子注入系统，包括工艺室(10)，用于在工艺室中产生等离子体的源，位于工艺室中用于支撑衬底的台板(14)，和用于产生将来自等离子体的离子向衬底中加速的注入脉冲的脉冲源。在一个方面中，系统包括被配置以测量工艺室中离子质量和能量的等离子体监视器和被配置以响应于所测量的质量和能量来确定系统的操作情况的分析器(100)。在另一个方面中，系统包括被配置以获取注入脉冲样本的数据获取单元(300)和被配置以基于所获取的样本来确定系统的操作情况的分析器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 差错 检测 工艺 控制 等离子体 离子 注入 监视 系统 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体离子注入装置，包括：工艺室；位于所述工艺室中用于支撑衬底的台板；位于所述工艺室中且与所述台板空间上分开的阳极；被耦合到所述工艺室的工艺气体源，其中，含有工艺气体离子的等离子体在所述阳极与所述台板之间的等离子体放电区域中被产生；脉冲源，用于在所述台板与所述阳极之间施加注入脉冲以将来自等离子体的离子向衬底中加速；以及等离子体监视器，被配置以测量所述工艺室中离子的质量和能量，其中，测量的离子质量和能量指示等离子体离子注入装置的操作情况。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备联合公司，未经瓦里安半导体设备联合公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580021855.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
