[发明专利]用于在半导体层内制造具有降低了的电导率的区域的方法以及光电子半导体器件有效
| 申请号： | 200580017279.3 | 申请日： | 2005-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101099244A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | S·伊勒克;W·斯坦;R·沃特;R·沃思 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/363;H01L21/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;魏军 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在用于在导电的III-V半导体层(3)内制造至少一个具有降低了的电导率的区域(8)的方法中，在所述半导体层(3)的区域(8)上敷设ZnO层(1)，并且接着优选地在300℃和500℃之间的温度时退火。ZnO层(1)优选地在低于150℃的温度、优选地在包含25℃在内和包含120℃在内之间的温度时被沉积在所述III-V半导体层(3)上。具有降低了的电导率的区域(8)优选地在发射辐射的光电子器件中被布置在活性区(4)和连接接触(7)之间，以便减少向活性区(4)的位于连接接触(7)对面的区域中的电流注入。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 具有 降低 电导率 区域 方法 以及 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.用于在导电的III-V半导体层(3)内产生至少一个具有降低了的电导率的区域(8)的方法，其特征在于，在半导体层(3)的所述区域(8)上敷设ZnO层(1)，并且接着退火。
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