[发明专利]用于在半导体层内制造具有降低了的电导率的区域的方法以及光电子半导体器件

权利要求书

1.用于在导电的III-V半导体层(3)内产生至少一个具有降低了的电导率的区域(8)的方法，其特征在于，

在半导体层(3)的所述区域(8)上敷设ZnO层(1)，并且接着退火，其中使III-V半导体层(3)的所述区域(8)的电导率降低至少一个因数2。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述ZnO层(1)在低于150℃的温度时被沉积在所述III-V半导体层(3)上。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中借助于溅射进行所述ZnO层(1)的沉积。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中在退火之前对所述ZnO层进行结构化。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中在为300℃至500℃的温度时进行退火。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中优选地以低于或者等于3％的浓度用Al掺杂所述ZnO层(1)。

7.如权利要求1或2所述的方法，其中所述III-V半导体层(3)包含具有0≤x+y≤1、0≤x≤1、0≤y≤1的In_1-x-yGa_xAl_yP或者具有0≤x≤1的Al_1-xGa_xAs。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中所述III-V半导体层(3)是p掺杂的。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中使III-V半导体层(3)的区域(8)的电导率降低至少一个因数5。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中使III-V半导体层(3)的区域(8)的电导率降低至少一个因数10。

11.如权利要求1或2所述的方法，其中所述III-V半导体层(3)包含在光电子器件中。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述光电子器件包含发射辐射的活性区(4)，并且借助于具有降低了的电导率的区域(8)减少流经活性区(4)的部分区域的电流(10)。

13.如权利要求12所述的方法，其中具有降低了电导率的区域(8)被布置在所述光电子器件的电连接接触(7)与所述活性区(4)之间。

14.如权利要求1或2所述的方法，其中在退火后去除所述ZnO层(1)。

15.如权利要求1或2所述的方法，其中在所述半导体层(3)的第一区域上沉积第一ZnO层(1)，并且在所述半导体层(3)的第二区域上沉积第二ZnO层(6)，其中如此地相对于第一ZnO层(1)的沉积温度来提高所述第二ZnO层(6)的沉积温度，使得在退火时比所述半导体层(3)的第一区域的电导率少地使所述半导体层(3)的第二区域的电导率降低。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述第二ZnO层(6)在高于150℃的温度时被沉积。

17.具有III-V半导体层(3)的光电子半导体器件，所述III-V半导体层包含至少一个利用根据权利要求1所述的方法所制造的具有降低了的电导率的区域(8)。

18.具有III-V半导体层(3)的光电子半导体器件，所述III-V半导体层在至少一个第一区域(8)中用ZnO层(1)覆盖，

其特征在于，在由所述ZnO层(1)覆盖的第一区域(8)中的半导体层(3)的电导率比在所述III-V半导体层(3)的横向邻接的区域中的电导率低至少一个因数2。

19.如权利要求18所述的光电子半导体器件，

其中所述III-V半导体层(3)的第一区域(8)的电导率比所述III-V半导体层(3)的横向邻接的区域中的电导率低至少一个因数5。

20.如权利要求18所述的光电子半导体器件，

其中所述III-V半导体层(3)的第一区域(8)的电导率比所述III-V半导体层(3)的横向邻接的区域中的电导率低至少一个因数10。

21.如权利要求18-20之一所述的光电子半导体器件，其中优选地以低于或者等于3％的浓度用Al掺杂所述ZnO层(1)。