[发明专利]用于改进垂直彩色CMOS图像传感器的敏感度的方法和设备

摘要

本发明详细描述CMOS图像传感器像素的结构，所述CMOS图像传感器像素在不需要在其表面上放置吸收滤光片的情况下感测入射光的色彩。所述色彩感测是通过将三电荷检测节点的一垂直堆叠放置在硅块中而完成的，所述三电荷检测节点依据电子产生的深度来收集电子。通过使用完全耗尽的势阱形成的掩埋层取代未耗尽的结电极来实现小电荷检测节点电容和因此具有低噪音的高敏感度。呈现在基本上不增加节点电容的情况下接触所述掩埋层的两个实施例。

主权项

1. 一种在一CMOS图像传感器中的具有一p型掺杂区的感光像素，其包含：一第一掺杂电荷收集区，其掩埋在所述p型掺杂区内并经配置以作为一耗尽势阱而操作；一第一n+型掺杂塞，其从所述图像传感器的表面附近延伸到所述第一电荷收集区；一第二掺杂电荷收集区，其掩埋在所述p型掺杂区内，所述第二电荷收集区通过所述p型掺杂区而与所述第一电荷收集区垂直分离，并经配置以作为一耗尽势阱而操作；和一第二n+型掺杂塞，其从所述图像传感器的所述表面附近延伸到所述第二电荷收集区。