[发明专利]形成有均匀特征尺寸的有源图案的多栅极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200580006333.4 | 申请日： | 2005-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1926672A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 陈裕承 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 为制造多栅极晶体管，形成了具有均匀的特征尺寸的至少一个有源图案。从所述有源图案的暴露部分生长外延结构。从所述有源图案的至少两个表面形成所述晶体管的沟道区。利用所述外延结构形成源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 均匀 特征 尺寸 有源 图案 栅极 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多栅极晶体管的制造方法，包括：形成至少一个有源图案；从所述有源图案的暴露部分生长至少一个外延结构；以及从所述有源图案的至少两个表面形成沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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