[发明专利]基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200580003365.9 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1914743A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 三木久幸;樱井哲朗;武田仁志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 化合物 半导体 多层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓化合物半导体多层结构，包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的在所述衬底侧上的下表面和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。
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