[发明专利]基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200580003365.9 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1914743A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 三木久幸;樱井哲朗;武田仁志 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 化合物 半导体 多层 结构 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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