[发明专利]纳米级电子光刻无效
| 申请号： | 200580002142.0 | 申请日： | 2005-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101124089A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | B41D7/00 | 分类号： | B41D7/00;B41C1/06;B41F9/00;B41F33/00;H05C1/04;B05D1/00;B05D3/00;H01T14/00;H05H1/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种纳米级光刻方法，其中将具有导电表面和绝缘表面的图案的可再用导电掩模设置在衬底上，该衬底表面包含位于埋入的导电层上的电响应抗蚀剂层。当在导电掩模和埋入的导电层之间施加电场时，在邻近掩模的导电区域的部分中，改变抗蚀剂层。根据从掩模转移的图案，对衬底表面进行选择性处理，改变掩模去除以除去部分抗蚀剂层。衬底可以是目标衬底，或者衬底可以用于另一个衬底的光刻掩模步骤。在本发明的一个方案中，施加电荷的电极可以分为例如多个行和列，其中可以产生任何想得到的图案而不需要制造特定的掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 电子 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种光刻制造的方法，包括：形成导电掩模图案；形成在埋入的导电层上具有电可变层的衬底；随着在所述掩模图案的导电部分和所述埋入的导电层之间施加电场，对所述电可变层进行构图；以及针对通过所述电场的施加所产生的图案，选择性地处理所述衬底。
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