[发明专利]一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法

摘要

本发明涉及半导体刻蚀领域，本发明是一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，本发明的方法在试验的基础上，获得腔室温度和温控器之间的一个对应关系，也就是记录下，当腔室温度升高时，相应的需要将温控器的温度调节为多少，可以将硅片的温度保持在正常值范围内。将这些对应关系保存在一个数据库中，在工艺过程中，根据腔室温度的变化，查找数据库，实时的调整温控器的温度，从而控制硅片的温度；由于采用以上技术方案，系统能根据反应腔室温度的变化，实时查找数据库，实时调整温控器的温度，从而控制硅片的温度处于正常值，提高了晶片的刻蚀效果。

主权项

1、一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，所述半导体刻蚀工艺涉及到如下工艺设备，包括一个反应腔室、一个用于测量反应腔室温度的温度计、一个置于反应腔室内部的静电卡盘、一个用于控制进入腔室气体温度的温控器和若干用于测量晶片温度的温度试纸，其特征在于所述方法包括如下步骤：晶片刻蚀系统正常启动后，在反应腔室中，晶片被固定在静电卡盘上，将气体通入反应腔室，所述气体通入反应腔室前，其温度被温控器加热到预定值，温度计实时测量反应腔室的温度，当温度计显示反应腔室温度高于正常值时，调整温控器的温度值至温度对应关系表中记录的相应温度值；其中所述温度对应关系表中的数据是指通过如下步骤得到数据，(1)当温度计显示反应腔室的温度高于正常值时，调整温控器的温度值，以使晶片的温度下降；(2)重复步骤(1)多次，并且每次都记录下温度计的温度、温控器调整的温度和温度试纸测得的晶片的最高温度；(3)将以上三种温度数据在同一时刻的数值中，晶片的最高温度处在正常范围内的数据存入温度对应关系表。