[发明专利]一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法有效
| 申请号： | 200510126376.8 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1851051A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张京华 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23F4/04 | 分类号： | C23F4/04;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡世英 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 刻蚀 工艺 控制 反应 晶片 温度 方法 | ||
【权利要求书】：
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