[发明专利]用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法无效

专利信息
申请号: 200510126237.5 申请日: 2005-11-30
公开(公告)号: CN1978714A 公开(公告)日: 2007-06-13
发明(设计)人: 李路;刘峰奇;周华兵;梁凌燕;吕小晶 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;C30B29/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 段成云
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域,特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括:步骤1:在分子束外延系统中,将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温;步骤2:裂解区降温并将红磷区升温;步骤3:关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温;步骤4:将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值;步骤5:按转化时间与转化而成的白磷量经验公式,计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间,外延出高性能磷化铟材料。
搜索关键词: 固态 裂解 分子 外延 磷化 材料 方法
【主权项】:
1、一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法,其特征在于,包括如下操作步骤:步骤1:在分子束外延系统中,将衬底加热器旋转至测束流位置,温度设定为一定值,源炉的裂解区升温至1050~1150℃;在此过程中,逐步加大裂解阀的阀门值;当裂解区温度在700~800℃后,将红磷区温度以升温速率2~5℃/min升至250℃,当裂解区温度达到1050~1150℃中的设定值,稳定数分钟后降温至1000℃;步骤2:在裂解区向1000℃降温时,接通用于白磷区降温的氮气源,红磷区继续升温;当红磷区温度到达360℃时,停止升温;此过程中,通过气体流量控制器对氮气流量进行控制;步骤3:当束流计读数达到P0=4×10-6Torr时,完全关闭裂解阀阀门,控制转化时间,然后降低红磷区温度至180℃以下,降温速率同为2~5℃/min;步骤4:当红磷区温度稳定在180℃以下后,将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值,同时通过调节气冷氮气流量,保持白磷区温度稳定;此时,通过BFM测定所需要的磷束流值;步骤5:按转化时间与转化而成的白磷量经验公式,计算磷源的耗尽时间,结合其他分子束外延生长技术,外延磷化铟材料。
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