[发明专利]高分子PTC芯片多层复合制造方法无效
| 申请号： | 200510112415.9 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1799831A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 吴国臣;侯李明;王军;连铁军;刘锋 | 申请（专利权）人： | 上海维安热电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/00 | 分类号： | B32B27/00;B32B27/18;B32B15/08;B32B37/14 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201206上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明高分子PTC芯片多层复合制造方法涉及一种以导电高分子聚合物复合材料为主要原料的电子元器件及其制造方法，尤其是一种高分子PTC热敏电阻器芯片结构及其制造方法。一种高分子PTC芯片多层复合结构，包括高分子PTC材料层及复合在材料层外面的电极，其中，所述的高分子PTC材料层为二层或二层以上，在各高分子PTC材料层之间加入有铜片层。用此结构所制得的高分子PTC热敏电阻器芯片能有效降低恢复后的电阻漂移，使产品的长期性能得到提高，同时铜片层作为隔离层还可以使元件在失效时沿着铜隔离层裂开，大大降低燃烧的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子 ptc 芯片 多层 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高分子PTC芯片多层复合结构，包括高分子PTC材料层及复合在材料层外面的电极，其特征在于：所述的高分子PTC材料层为二层或二层以上，在各高分子PTC材料层之间加入有铜片层。
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