[发明专利]提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法无效
| 申请号： | 200510111620.3 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1808670A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;王曦;戴丽娟;蒋军;柳襄怀 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C01B31/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管(CNT)薄膜阴极的场致电子发射性能的处理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去CNT薄膜中所含的杂质，在CNT与衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面CNT垂直于衬底表面，从而使CNT薄膜的场致电子发射性能得到显著改善，即使电子发射的阈值场强降低了2倍多，发射电流密度提高25～30倍左右，电子发射的点密度提高3个数量级以上且均匀性明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 印刷 法制 纳米 薄膜 致电 发射 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极场致电子发射性能的方法，其特征是采用热处理和表面提拉工艺相结合的复合工艺来提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能；所述的热处理工艺分为两步，首先在300-400℃，大气中进行，处理时间为10-30分钟；然后在500-700℃，N2、Ar或其它惰性保护气体中进行，处理时间为10-60分钟；所述的表面提拉工艺为表面压印法或胶带提拉法，均匀的带走一层表面的碳纳米管颗粒，使表面的碳纳米管垂直于衬底表面。
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