[发明专利]基于SOI(绝缘硅)的MEMS二维振镜及其制作方法无效
| 申请号： | 200510109301.9 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1763582A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李凌 | 申请（专利权）人： | 李凌 |
| 主分类号： | G02B26/10 | 分类号： | G02B26/10;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100062北京市崇*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SOI(绝缘硅)的微机电系统(MEMS)工艺制作的二维振镜及其制作方法，可用于小功率快速激光扫描，如条码扫描、舞台激光、激光投影机等等。该系统使用简洁的微机电系统(MEMS)工艺制作，以静电作为驱动力，可在一个有特殊悬臂结构的振镜上同时实现两个维度(自由度)的振动。由于该系统的所有振动部件只是用于反射激光的振镜体，从而有效的减小了振镜系统的转动惯量、体积以及能耗，也进一步增加了扫描的速度和扫描的灵活件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 绝缘 mems 二维 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种微机电系统(MEMS)二维振镜，该装置包括一个驱动层和一个振镜层，其特征在于：所述驱动层包括衬底、驱动电极、导线焊接点及着陆电极，所有电极以中心为原点，两两相对，并由相应的导线连接到焊接点；所述振镜层由振镜、框架、悬臂、着陆支点以及反射层组成，其框架固定于驱动层上，中间可以通过绝缘层使框架与驱动层保持绝缘。
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