[发明专利]基于SOI(绝缘硅)的MEMS二维振镜及其制作方法无效
| 申请号： | 200510109301.9 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1763582A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李凌 | 申请（专利权）人： | 李凌 |
| 主分类号： | G02B26/10 | 分类号： | G02B26/10;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100062北京市崇*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 soi 绝缘 mems 二维 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
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