[发明专利]缩小特征尺寸的方法和半导体蚀刻方法

摘要

一种缩小特征尺寸的方法，主要是将介电层形成于衬底上，再于介电层上形成图案化光致抗蚀剂层，以暴露出部分介电层，其中图案化光致抗蚀剂层具有第一线宽。之后，利用图案化光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模进行蚀刻工艺，以去除暴露出的介电层，使介电层的最终线宽小于第一线宽。由于此蚀刻工艺的条件是在压力80～400托之间，所采用的气体包括一种碳氟化合物与氧气，而碳氟化合物对氧气的流量比大于0且小于10，所以能够稳定蚀刻工艺，使得栅极的侧壁平整，特征尺寸具有一致性。

主权项

1.一种缩小特征尺寸的方法，包括：于一衬底上形成一介电层；于该介电层上形成一图案化光致抗蚀剂层，以暴露出部分该介电层，其中该图案化光致抗蚀剂层具有一第一线宽；以及利用该图案化光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模，进行一蚀刻工艺，以去除暴露出的该介电层并使该介电层的最终线宽小于该第一线宽，其中该蚀刻工艺的条件包括：压力在80～400托之间；以及该蚀刻工艺所采用的气体包括一碳氟化合物与氧气，其中该碳氟化合物对氧气的流量比大于0且小于10。