[发明专利]大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法

摘要

本发明提供了一种大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法，属于直流等离子体技术领域。大颗粒单晶金刚石是在5－100kW直流等离子体喷射设备上制备的，沉积腔初始的真空为10^－2－10^－1Pa，充入反应气体后，沉积腔的压强在10⁰－10⁴Pa之间，充入的反应气体为Ar、H₂和CH₃，流量分别为：Ar为1－3slm；H₂为4－8slm；CH₃为100－300sccm。等离子体的成分为H、CH、C₂激元；基材为<111>±30°晶体取向的单晶金刚石；基材在制备中过程中温度始终保持在950－1100℃之间。本发明的优点在于：提供了一条快速制备单晶金刚石的途径，使单晶制备速度达到30－40mg/h。

主权项

1、一种大颗粒单晶金刚石的直流等离子体沉降制备方法，其特征在于：大颗粒单晶金刚石是在5-100kW直流等离子体喷射设备上制备的，沉积腔初始的真空为10-2-10-1Pa，充入反应气体后，沉积腔的压强在100-104Pa之间，充入的反应气体为Ar、H2和CH3，流量分别为：Ar为1-3slm；H2为4-8slm；CH3为100-300sccm。