[发明专利]一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200510086523.3 | 申请日： | 2005-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1941448A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 杜关祥;韩秀峰;姜丽仙;赵静;詹文山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积了硬磁层、第一软磁层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二软磁层及覆盖层。所述的硬磁层为剩磁比较高，矫顽力较大的铁磁材料组成，所述的软磁层为自旋极化率高，矫顽力较小的铁磁材料组成。该基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，还包括在硬磁层和第一软磁层之间的铁磁/反铁磁耦合层。所述的硬磁层还可以是复合硬磁层。所述的第二软磁层还可以是复合软磁层。该自旋阀磁电阻器件是在单晶衬底上采用真空镀膜的方法依次形成上述各层而得。该具有自旋阀结构的磁电阻器件不存在Mn的热扩散而具有高的热稳定性，可用于巨磁电阻器件和隧穿磁电阻器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硬磁材料 自旋 磁电 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积了硬磁层、第一软磁层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二软磁层及覆盖层。
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