[发明专利]形成具有高迁移率的金属/高k值栅叠层的方法有效
| 申请号： | 200510078164.7 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1722463A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 万达·安德雷奥尼;阿莱桑德罗·C·卡莱加利;埃杜瓦德·A·卡蒂尔;阿莱桑德罗·库利奥尼;克里斯多弗·P·德米;埃夫格尼·古塞夫;迈克尔·A·格里贝尤克;保罗·C·杰米森;拉加拉奥·加米;迪亚尼·L·莱塞;芬顿·R·迈克费里;维加伊·纳拉亚南;加罗·A·皮格尼多里;小约瑟夫·F·西帕德;苏菲·扎法尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一个具有高迁移率和低界面电荷的栅叠层结构以及半导体器件，即包括该结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。在半导体器件中，本发明的栅叠层结构位于衬底和一个覆盖的栅导体之间。本发明还提供了一个制造本发明栅叠层结构的方法，其中是用了一个高温退火步骤(约800℃量级)。用于本发明的高温退火提供了一个栅叠层结构，由电荷泵浦测量，具有界面状态密度约8×1010电荷/cm2或更低，峰值迁移率约250cm2/V－s或更高，以及在约6.0×1012反转电荷/cm2或更高下基本上没有迁移率退化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 迁移率 金属 值栅叠层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅叠层结构，包括：界面层，至少包含Si和O原子，并且具有的介电常数大于SiO2；以及覆盖的高k栅电介质，其中所述栅叠层结构由电荷泵浦测量具有界面状态密度约8×1010电荷/cm2或更低，峰值迁移率约250cm2/V-s或更高，以及在约6.0×1012反转电荷/cm2或更高下基本上没有迁移率退化。
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