[发明专利]MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置无效
| 申请号： | 200510067657.0 | 申请日： | 2005-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1691352A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 木岛健;滨田泰彰 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有强电介质层的MFS型场效应晶体管及其制造方法，其中，MFS型场效应晶体管(100)包括：半导体层(10)；形成于半导体层(10)上的PZT系强电介质层(15)；形成于PZT系强电介质层(15)上的栅极(16)；形成于半导体层(10)上、且构成源极或者漏极的杂质层(14)。而且，PZT系强电介质层(15)，将Ti成分中的2.5摩尔％以上40摩尔％以下置换为Nb。由此，本发明很难引基于漏电流或者去极而引起保持损失。 | ||
| 搜索关键词： | mfs 场效应 晶体管 及其 制造 方法 电介质 存储器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种MFS(Metal Ferroelectric Semiconductor)型场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体层；形成于所述半导体层上的PZT系强电介质层；形成于所述PZT系强电介质层上的栅极；和形成于所述半导体层、且构成源极或者漏极的杂质层，将所述PZT系强电介质层的Ti成分中的2.5摩尔％以上40摩尔％以下置换为Nb。
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