[发明专利]低介电常数多孔氧化硅薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200510038675.6 | 申请日： | 2005-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1666861A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 徐洪耀;李村;光善仪;吴振玉;王献彪 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | B32B3/12 | 分类号： | B32B3/12 |
| 代理公司： | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数多孔氧化硅薄膜，该薄膜含有分布均匀的纳米微孔。该薄膜的制备方法是：用三烷氧基硅烷有机物(RSi(OR’) 3)通过水解—缩合反应生成含有笼型结构的多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)分子的溶胶；将上述溶胶涂布于硅片上制成薄膜；将上述薄膜在空气或惰性气体保护下加热固化、烧结即得低介电常数多孔氧化硅薄膜，烧结温度为300－600℃，升温速率为2－5℃每分钟。本发明的多孔氧化硅薄膜：介电常数低，纳米微孔分布均匀，微孔大小均匀、尺寸可调，薄膜与硅片的粘附性好，结合紧密，耐热性、热稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 多孔 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低介电常数多孔氧化硅薄膜，其特征在于该氧化硅薄膜含有均匀分布的纳米级微孔。
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