[发明专利]低介电常数多孔氧化硅薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200510038675.6 | 申请日： | 2005-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1666861A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 徐洪耀;李村;光善仪;吴振玉;王献彪 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | B32B3/12 | 分类号： | B32B3/12 |
| 代理公司： | 合肥华信专利商标事务所 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 23003*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 多孔 氧化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学，未经安徽大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200510038675.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种耐酸耐碱的圆网制版感光胶
- 下一篇：一种无纺布地垫
- 同类专利
- 专利分类
