[发明专利]提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法无效
| 申请号： | 200510026556.9 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1721582A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 杭寅;宋词;夏长泰;张连翰;周圣明;徐军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法，该方法的实质是将ZnO籽晶的生长速度快和生长晶体质量好的结晶学面即+c面显露出来作为晶体生长面，在单片ZnO籽晶的－c面涂覆一层贵金属隔离层，抑制生长速度慢且出的晶体质量差的－c面的晶体生长。本发明抑制ZnO晶体－c面的生长，大大提高晶体生长效率，而且生长出来的晶体结构完整，质量完好。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 水热法 生长 zno 晶体生长 效率 质量 方法 | ||
【主权项】：
1、一种提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法，其特征在于该方法的实质是将ZnO籽晶的生长速度快和生长晶体质量好的结晶学面即+c面显露出来作为晶体生长面，在单片ZnO籽晶的-c面涂覆一层贵金属隔离层，抑制生长速度慢且出的晶体质量差的-c面的晶体生长。
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