[发明专利]LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510014977.X 申请日: 2005-09-05
公开(公告)号: CN1731676A 公开(公告)日: 2006-02-08
发明(设计)人: 杨保和;陈希明;熊瑛;徐晟;孙大智;李明 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H03H3/08 分类号: H03H3/08;H03H9/25
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 代理人: 廖晓荣
地址: 300191*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件及制备方法。所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。这种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件的制备方法,是在CVD金刚石膜表面溅射高C-轴择优取向的纳米ZnO薄膜,而后在纳米ZnO薄膜表面溅射高C-轴择优取向的LiNbO3薄膜。本发明的有益效果是:采用高C-轴择优取向的纳米ZnO作为CVD金刚石和LiNbO3薄膜之间的中间层,可得到平整光滑、结晶度好的高C-轴择优取向的优质LiNbO3纳米膜。该薄膜结构可满足高频、高机电耦合系数、大功率声表面波(SAW)器件等领域的应用需求。
搜索关键词: linbo sub zno 金刚石 多层 膜结构 表面波 器件 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种LiNbO3/ZnO/金刚石多层膜结构声表面波器件,其特征在于所说的多层膜结构声表面波器件是在CVD金刚石膜和LiNbO3薄膜之间有高C-轴择优取向的纳米ZnO中间层。
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