[发明专利]三维半导体封装,以及用于其中的间隔芯片无效

专利信息
申请号: 200510007015.1 申请日: 2005-01-31
公开(公告)号: CN1649149A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 福造幸雄 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/04
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏;陆弋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在三维半导体封装中,逻辑电路芯片(36;60;90;118;144;172;178B)具有在其上表面上形成的多个上电极引脚,并且间隔芯片(44;70;98;126;152;180A;180B)贴装逻辑电路芯片上。间隔芯片具有形成在其下表面上的多个下电极引脚,和形成在其上表面上并且电气连接到其各下电极引脚的多个上电极引脚。进行在逻辑电路芯片上贴装间隔芯片,从而使间隔芯片的下电极引脚结合到逻辑电路芯片的上电极引脚,以由此在其间建立电气连接。存储芯片(42;68;96;124;150A;178A;178C)贴装在间隔芯片上,并且具有形成在其表面上的多个电极引脚。进行在间隔芯片上贴装存储芯片,从而使存储芯片的电极引脚结合到间隔芯片的上电极引脚,以由此在其间建立电气连接。
搜索关键词: 三维 半导体 封装 以及 用于 中的 间隔 芯片
【主权项】:
1.一种三维半导体封装,其包含:第一半导体芯片(36;60;90;118;144;172;178B),其具有在其上表面上形成的多个上电极引脚;间隔芯片(44;70;98;126;152;180A,180B),其贴装在所述第一半导体芯片上并且具有形成在其下表面上的多个下电极引脚和形成在其上表面上并与其各下电极引脚电气连接的多个上电极引脚,进行在所述第一半导体芯片上贴装所述间隔芯片从而使所述间隔芯片的下电极引脚结合到所述第一半导体芯片的上电极引脚,以由此在其间建立电气连接;以及第二半导体芯片(42;68;96;124;150A;178A;178C),其贴装在所述间隔芯片上并且具有形成在其表面上的多个电极引脚,进行在所述间隔芯片上贴装所述第二半导体芯片从而使所述第二半导体芯片的电极引脚结合到所述间隔芯片的上电极引脚,以由此在其间建立电气连接。
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