[发明专利]使用FINFET技术形成多种器件宽度的方法和结构

摘要

本发明公开了一种用于生产翅片型场效应晶体管(FinFET)的结构和方法，该晶体管具有在衬底上的埋入氧化物层，位于所述埋入氧化物层上的至少一个第一翅片结构和至少一个第二翅片结构。第一分隔层邻近所述第一翅片结构，第二分隔层邻近所述第二翅片结构。与被第二分隔层覆盖的第二翅片结构的所述部分相比，第二分隔层覆盖第二翅片结构的更大部分。具有较大分隔层的那些翅片将接受较小面积的半导体掺杂，具有较小分隔层的那些翅片将接受较大面积的半导体掺杂。所以，在第一翅片和第二翅片之间存在着由不同尺寸的分隔层造成的掺杂差异。与第一翅片相比，在第一翅片和第二翅片之间的掺杂差异改变了第二翅片的有效宽度。

主权项

1.一种翅片型场效应晶体管(FinFET)，包含：位于衬底上的第一翅片结构；位于所述衬底上的第二翅片结构；邻近所述第一翅片结构的第一分隔层；以及邻近所述第二翅片结构的第二分隔层；其中当与被所述第二分隔层覆盖的所述第二翅片结构的所述部分相比时，所述第一分隔层覆盖所述第一翅片结构的更大部分。