[发明专利]具有单片集成的互阻抗放大器和分析电子单元的光电探测器以及制造方法无效
申请号: | 200480036299.0 | 申请日: | 2004-12-06 |
公开(公告)号: | CN1890818A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | 康拉德·巴赫;亚历山大·赫尔克;乌韦·埃科尔特;沃尔夫冈·艾因布罗特;卡尔-乌尔里希·施塔尔 | 申请(专利权)人: | X-FAB半导体制造股份公司;梅莱希斯有限公司 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L31/0224;H01L31/02;H01L27/144 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 曾立 |
地址: | 德国埃*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明应该这样地构造光电探测器(10),使得在现有技术中的用于小的待处理的光功率的探测器中不产生缺点,特别是当涉及具有分析电子单元的单片集成时。对此提出了一种用于小的待处理的光功率的、具有单片集成的互阻抗放大器和分析电子单元的光电探测器。本来的光电池部分(20)被分配给所述的一个芯片面,光优选地在该面上入射。电子电路部分(30)被设置在相反的芯片面上。在光电池和电子电路之间的电连接(40)以在与芯片法线的垂直线方向上的伸展而存在。 | ||
搜索关键词: | 具有 单片 集成 阻抗 放大器 分析 电子 单元 光电 探测器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.用于小的待处理的光功率的、具有单片集成的互阻抗放大器和分析电子单元的光电探测器,其中一个本来的光电池部分(20)被配置给一个芯片面(R),光(L)优选地从该面入射,一个电子电路部分(30)被设置在相反的芯片面上(V);在该光电池部分(20)和该电子电路部分(30)之间存在一些电连接(40,41),这些电连接具有在与一个垂直线(芯片法线)平行的方向上的伸展,或者具有在与芯片平面垂直的方向上的伸展。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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