[发明专利]具有单片集成的互阻抗放大器和分析电子单元的光电探测器以及制造方法无效
| 申请号： | 200480036299.0 | 申请日： | 2004-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1890818A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 康拉德·巴赫;亚历山大·赫尔克;乌韦·埃科尔特;沃尔夫冈·艾因布罗特;卡尔－乌尔里希·施塔尔 | 申请（专利权）人： | X－FAB半导体制造股份公司;梅莱希斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/0224;H01L31/02;H01L27/144 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国埃*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 单片 集成 阻抗 放大器 分析 电子 单元 光电 探测器 以及 制造 方法 | ||
【说明书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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