[发明专利]高纯度铪、由该高纯度铪形成的靶及薄膜和高纯度铪的制造方法有效
| 申请号： | 200480034175.9 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1882711A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22B34/14;C22B9/22;C22C27/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及除锆和气体成分之外的纯度为4N或更高、氧含量为40重量ppm或更低的高纯度铪，以及由该高纯度铪形成的靶和薄膜；除锆和气体成分之外的纯度为4N或更高、硫含量和磷含量分别为10重量ppm或更低的高纯度铪，以及由该高纯度铪形成的靶和薄膜。本发明还涉及使用锆减少的海绵铪作为原料，并且进一步减少了铪中所含的氧、硫和磷含量的高纯度铪材料，以及由该材料形成的靶和薄膜，和高纯度铪的制造方法。从而提供能够制造高纯度铪材料的有效稳定的制造技术以及由该材料形成的靶和薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 形成 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.高纯度铪及由该高纯度铪形成的靶和薄膜，除锆和气体成分之外的纯度为4N或更高，其特征在于，氧含量为40重量ppm或更低。
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