[发明专利]高纯度铪、由该高纯度铪形成的靶及薄膜和高纯度铪的制造方法有效
| 申请号： | 200480034175.9 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1882711A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22B34/14;C22B9/22;C22C27/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 形成 薄膜 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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