[发明专利]用于处理大面积矩形基板的高频等离子体反应器的电压非均匀性补偿方法有效
| 申请号： | 200480032865.0 | 申请日： | 2004-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1879189A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | J·施米特;L·桑松嫩斯;M·埃尔亚库比;M·伊尔日克 | 申请（专利权）人： | 尤纳克西斯巴尔策斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;陈景峻 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 公开了一种真空处理设备和对于大面积和/或高频等离子体反应器中的电压和电场非均匀性的补偿方法。该方法一般适用于生产LCD、等离子体显示器和太阳能电池的矩形(或方形)大面积等离子体加工设备或任何其他使用电磁波(RF，VHF)进行加工的反应器。所述设备包括真空容器、至少两个限定内部加工空间的电极、至少一个能够与所述电极连接的电源、在所述内部加工空间内被处理基板的基板座以及进气口装置，其中，至少一个所述电极具有沿第一横截面凹陷的轮廓和沿第二横截面凸起的轮廓，且所述第一横截面平行于所述第二横截面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 大面积 矩形 高频 等离子体 反应器 电压 均匀 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理设备，包括：一个真空容器；至少两个限定内部加工空间的电极；至少一个能与所述电极连接的电源；在所述内部加工空间内被处理基板的基板座；以及进气口装置，其中，所述电极中至少一个具有沿第一横截面凹陷的轮廓和沿第二横截面凸起的轮廓，且所述第一横截面平行于所述第二横截面。
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