[发明专利]采用激光转移的在热敏衬底上的移植磁随机存取存储器(MRAM)及其制作方法有效
| 申请号： | 200480022966.X | 申请日： | 2004-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101263580A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 古普塔·阿鲁纳瓦 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在低温衬底上形成磁存储器件的方法(以及所得到的结构)，包括在涂敷有经受导致预定高压的快速加热的可分解的材料层的透明衬底上形成存储器件，以及将存储器件转移到低温衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 激光 转移 热敏 衬底 移植 随机存取存储器 mram 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在低温衬底上形成磁存储器件的方法，包括：在涂敷有经受导致预定高压的快速加热的可分解的材料层的透明衬底上形成存储器件；以及将存储器件转移到低温衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
