[发明专利]采用激光转移的在热敏衬底上的移植磁随机存取存储器(MRAM)及其制作方法

权利要求书

1. 一种在低温衬底上形成磁存储器件的方法，包括：

在涂敷有经受导致预定高压的快速加热的可分解的材料层的透明衬底上形成存储器件；以及

将存储器件转移到低温衬底。

2. 根据权利要求1的方法，其中所述低温衬底包括塑料衬底。

3. 根据权利要求1的方法，其中所述低温衬底包括聚合物衬底。

4. 根据权利要求1的方法，其中所述透明衬底包括兰宝石衬底。

5. 根据权利要求1的方法，其中所述透明衬底包括石英衬底。

6. 根据权利要求1的方法，还包括：

使用激光剥离工艺以转移所述磁存储器件，

其中所述激光剥离工艺使所述可分解材料层经受所述预定高压。

7. 根据权利要求6的方法，其中所述衬底对于激光是透明的，并且所述激光被所述可分解材料层吸收，从而分解可分解材料层。

8. 根据权利要求1的方法，其中所述可分解材料层包括氮化物材料。

9. 根据权利要求8的方法，其中所述氮化物材料包括氮化镓。

10. 根据权利要求8的方法，其中所述氮化物材料包括氮化铝。

11. 根据权利要求8的方法，其中所述氮化物材料包括氮化铟。

12. 根据权利要求8的方法，其中所述氮化物材料生长在透明衬底上，所述方法还包括：

采用从透明衬底背侧入射的激光探针，通过金属化氮化物材料和透明衬底之间的界面，将所述氮化物材料从透明衬底上剥离。

13. 根据权利要求1的方法，其中在低于低温衬底开始降解的温度的温度下，在所述透明衬底上形成可分解材料层。

14. 根据权利要求1的方法，还包括：

在可分解材料层的表面上形成磁存储器件以及导电引线。

15. 根据权利要求1的方法，还包括：在转移期间，将安装在所述磁存储器件上的顶部导电引线安装到低温衬底上。

16. 根据权利要求1的方法，还包括：

借助于环氧树脂，将面朝下安装的顶部导电引线结合到低温衬底上。

17. 根据权利要求8的方法，还包括：

对所述透明衬底施加基本上与氮化物材料的带隙相同或之上的脉冲激光照射，从而导致界面氮化物的金属化。

18. 根据权利要求17的方法，还包括：

基于所述金属化，从透明衬底上分离氮化物材料/磁存储器件结构；以及

将氮化物/磁存储器件粘接到低温衬底上。

19. 根据权利要求1的方法，还包括：

对所述透明衬底施加激光，

其中激光被吸收在可分解材料层中，以加热所述可分解材料层并随后分解所述可分解材料层。

20. 根据权利要求19的方法，其中所述可分解材料层包括氮化物，并且，其中键断裂的发生是由于从氮化物金属化释放的氮积累的压力。

21. 根据权利要求6的方法，还包括：

对激光束施加光栅，使得采用单一的脉冲可以转移不同的磁存储器件。

22. 根据权利要求8的方法，还包括：

在氮化物材料的顶部生长Si层，从而允许所述磁存储器件与磁隧道结(MTJ)单元中的晶体管集成，并同时转移，

其中在磁存储器件位于氮化物材料顶部的情形下形成所述晶体管。

23. 根据权利要求1的方法，还包括：

在转移磁存储器件之前，在低温衬底上形成有机晶体管。

24. 根据权利要求1的方法，还包括：

在转移之后，蚀刻上面的可分解材料层。

25. 根据权利要求6的方法，还包括：

通过调节可分解材料层的厚度控制所述透明衬底中的温度上升。