[发明专利]用于测量入射光的方法以及具有采用该方法的分光装置的传感器有效
| 申请号： | 200480017642.7 | 申请日： | 2004-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1809732A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 泽田和明;石田诚;丸山结城;武藤秀树 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | G01J3/32 | 分类号： | G01J3/32;H01L27/14;H01L31/10;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于测量入射光的方法，采用具有对应入射光的单个电子捕获部分的一个简单的半导体结构，以及具有采用该方法的分光装置的一种传感器。一个分光传感器包含半导体衬底(1)，位于半导体衬底(1)上的第一扩散层(2)，位于第一扩散层(2)一部分处的第二扩散层(3)；以及位于第一扩散层(2)上的一个电极薄膜(7)，其间有一个绝缘薄膜(4)，该电极薄膜(7)透过入射光并被施加一个栅压。在该分光传感器中，栅压是变化的，第一扩散层(2)中入射光产生的电子被捕获时的深度是变化的，以便与栅压对应，并且表示电子数量的电流被测量，由此测量该入射光的波长和强度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 入射 方法 以及 具有 采用 分光 装置 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量入射光的方法，采用半导体结构，该半导体结构包括透过入射光且被施加栅压的一个电极薄膜，以及用于捕获由入射光产生的电子的一个扩散层，该扩散层位于该电极薄膜的下方，其间还有一个绝缘薄膜，其中栅压是变化的，在扩散层中电子被捕获时距离扩散层表面的深度是变化的，并且表示电子数量的电流被测量，由此测量该入射光的波长和强度。
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