[发明专利]气体分配系统无效
| 申请号: | 200480017290.5 | 申请日: | 2004-05-26 |
| 公开(公告)号: | CN101068950A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
| 发明(设计)人: | 杰伊·B·德唐特尼;杰克·C·尧 | 申请(专利权)人: | 阿维扎技术公司 |
| 主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23F1/00;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 曲莹;马高平 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本发明提供了一种用在半导体制造中的气体分配装置。该气体分配装置包括整体元件和形成在该整体元件内以将气体均匀送入加工区域的气体分配网络。该气体分配网络包括:入口通道,其向上延伸通过整体元件的上表面,以连接到气体源;多个第一通道,其会聚在一联结点处并在该联结点处与入口通道连接;与该多个第一通道连接的多个第二通道;以及多个出口通道,其与多个第二通道连接,以将气体送入加工区域。第一通道从联结点径向向外延伸到整体元件的外围表面,第二通道不垂直于第一通道,并从第一通道向外延伸到外围表面。出口通道向下延伸通过整体元件的下表面,以将气体送入加工区域。 | ||
| 搜索关键词: | 气体 分配 系统 | ||
【主权项】:
1.一种气体分配装置,包括:元件,其具有上表面、下表面和外围表面;以及气体分配网络,其形成在所述元件内,用于将气体均匀送入加工区域,所述气体分配网络包括:入口通道,其向上延伸通过所述上表面,以连接到气体源;多个第一通道,所述多个第一通道会聚在一联结点处并在该联结点处与所述入口通道连接,所述第一通道从所述联结点径向向外延伸到所述外围表面;与所述多个第一通道连接的多个第二通道,所述第二通道不垂直于所述第一通道,并从所述第一通道向外延伸到所述外围表面;和多个出口通道,所述多个出口通道与所述多个第二通道连接,并向下延伸通过所述下表面,以将气体送入所述加工区域。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





