[发明专利]硅外延晶片以及生产硅外延晶片的方法无效
| 申请号： | 200480013251.8 | 申请日： | 2004-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1791705A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 吉田知佐;角田均;加藤正弘 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭广迅;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅外延晶片(W)，其特征在于包含：单晶硅基材(1)，在其主表面(11)上具有COP(100)；和在单晶硅基材(1)的主表面(11)上通过气相外延生长形成的硅外延层(2)，其中所述主表面(11)相对于[100]轴沿着[011]方向或[0－1－1]方向从(100)平面倾斜θ角度，以及相对于[100]轴沿着[01－1]方向或[0－11]方向从(100)平面倾斜φ角度，且θ角和/或φ角是0°－15’。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 以及 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅外延晶片，包含：单晶硅基材，在其主表面上具有COP，和在单晶硅基材的主表面上通过气相外延生长形成的硅外延层，其中所述主表面相对于[1001轴沿着[011]方向或[0-1-1]方向从(100)平面倾斜θ角度，以及相对于[100]轴沿着[01-1]方向或[0-11]方向从(100)平面倾斜φ角度，且θ角和φ角中的至少一个是0°-15’。
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