[发明专利]第Ⅲ族元素氮化物单晶的制备方法和其中使用的设备无效
| 申请号： | 200480007152.9 | 申请日： | 2004-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1798881A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;梅田英和 | 申请（专利权）人： | 财团法人大阪产业振兴机构 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B11/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了第III族元素氮化物单晶的制备方法，所述氮化物单晶具有较低的位错密度和均一的厚度并且是透明的。本发明可以高产量地制备高质量的、大的和整块的所述晶体。所述第III族元素氮化物单晶的制备方法包括：加热装有至少一种选自碱金属和碱土金属的金属和至少一种选自镓(Ga)，铝(Al)和铟(In)的第III族元素的反应器以制备所述金属的熔剂；将含氮气体通入所述反应器中由此使得在所述熔剂中的第III族元素和氮互相反应，从而生长第III族元素氮化物单晶，其中例如在通过摇动所述反应器来搅动所述熔剂下使单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 元素 氮化物 制备 方法 其中 使用 设备 | ||
【主权项】：
1.第III族元素氮化物单晶的制备方法，其包括：加热装有至少一种选自碱金属和碱土金属的金属和至少一种选自镓(Ga)，铝(Al)和铟(In)的第III族元素的反应器以制备所述金属的熔剂；和将含氮气体通入所述反应器中由此使得在所述熔剂中的第III族元素和氮互相反应，从而生长第III族元素氮化物单晶，其中，在所述熔剂和所述至少一种第III族元素被搅动而互相混合下，生长第III族元素氮化物单晶。
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