[实用新型]具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET无效
| 申请号： | 200420027819.9 | 申请日： | 2004-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN2708506Y | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;廖小平 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214431江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET及其制造方法，是在P型SOI衬底上制造射频SOI功率NMOSFET，其特点是具有台阶型栅氧化层，其结构自下而上依次为：P型硅衬底层1、二氧化硅埋层2、薄硅膜层3、台阶型栅氧化层4和台阶型栅多晶硅层5，薄硅膜层有外围局部场氧化区34、中间P型井区31和N+型源区32、N+型漏区33。本实用新型解决了NMOSFET在材料、工艺、可靠性、可重复性、生产成本、反向击穿电压等诸多问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台阶 氧化 射频 soi 功率 nmosfet | ||
【主权项】：
1、一种具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET，是在P型SOI衬底上制造射频SOI功率NMOSFET，其特征在于它具有台阶型栅氧化层，其结构自下而上依次为：P型硅衬底层(1)、二氧化硅埋层(2)、薄硅膜层(3)、台阶型栅氧化层(4)和台阶型栅多晶硅层(5)，所述的薄硅膜层(3)有外围局部场氧化区(34)、中间P型井区(31)和N+型源区(32)、N+型漏区(33)，N+型源区(32)和N+型漏区(33)置于P型井区(31)内；所述的台阶型栅氧化层(4)置于薄硅膜层(3)的中间P型井区(31)上表面；台阶型栅多晶硅层(5)置于台阶型栅氧化层(4)上表面。
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