[实用新型]具有台阶型栅氧化层的射频SOI功率NMOSFET无效
| 申请号： | 200420027819.9 | 申请日： | 2004-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN2708506Y | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王新潮;廖小平 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214431江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 台阶 氧化 射频 soi 功率 nmosfet | ||
【权利要求书】：
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