[发明专利]用于铜的受控抛光的组合物和方法无效
| 申请号： | 200410104677.6 | 申请日： | 2004-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1644640A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | J·G·阿梅恩;R·L·小拉瓦伊;J·匡西;J·K·索;T·M·托马斯;叶倩萩 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了适用于抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含0.001至6wt％的非铁金属抑制剂，0.05至10wt％该金属的配位剂，0.01至25wt％用于加速铜的去除的铜去除剂，0.5至40wt％的研磨剂，和0至10wt％选自聚乙烯吡咯烷酮，热塑性聚合物和它们的混合物的化合物，其中该铜去除剂是咪唑。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 受控 抛光 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.用于抛光半导体晶片上的铜的水性组合物，该组合物包含0.001至6wt％的非铁金属抑制剂，0.05至10wt％该金属的配位剂，0.01至25wt％用于加速铜的去除的铜去除剂，0.5至40wt％的研磨剂，和0至10wt％选自聚乙烯吡咯烷酮，热塑性聚合物和它们的混合物的化合物，其中该铜去除剂是咪唑。
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