[发明专利]浆料成分及利用其的CMP方法无效
| 申请号： | 200410101122.6 | 申请日： | 2004-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1637102A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 崔在光;李在东;洪昌基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/16;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例提供一种新的浆料成分，该新的浆料成分适合用于包括对多晶硅层化学机械抛光(CMP)的工艺。该浆料成分包括一种或多种非离子聚合物表面活性剂，该表面活性剂选择地在多晶硅的暴露表面上形成钝化层，以便于抑制相对于氧化硅和氮化硅的多晶硅除去速率并提高抛光衬底的平坦度。示例性的表面活性剂包括环氧乙烷(EO)和环氧丙烷(PO)嵌段共聚物的烷基或芳基醇，并以高达大约5wt％的量存在于浆料成分中，虽然更小的浓度有效。其它浆料添加剂可以包括粘度调节剂、pH调节剂、分散剂、螯合剂、以及适合用于调节氮化硅和氧化硅的相对除去速率的胺或亚胺表面活性剂。 | ||
| 搜索关键词： | 浆料 成分 利用 cmp 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨浆料成分，用于形成在包括氮化硅结构上的多晶硅层的化学机械抛光，包括：载液；研磨颗粒；和选择地在多晶硅层的暴露表面上形成钝化层的非离子表面活性剂。
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