[发明专利]半导体器件的局部互锁金属接触结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200410094953.5 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1622323A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨智超;劳伦斯·A.·克莱温格;蒂莫西·J.·达尔顿;许履尘;卡尔·拉登斯;黄洸汉 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于高布线密度半导体的制造“Lego”形互锁接触的结构和方法，特征在于在接触过孔中形成的阻挡衬里只有一部分向上延伸到相邻的布线层中。因而，可以避免电流拥挤和与常规现有技术互连结构相关的可靠性问题，并且增强接触过孔(金属栓塞)结构的结构完整性。由于表面积的增加，所制造的向上延伸的新颖的“王冠”形的Lego形互锁接触结构可以用于其它集成电路应用，包括形成电容器(例如，MIMCAP)和热沉结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 局部 互锁 金属 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体互连结构，包括第一层金属导体和第二层金属导体，以及在它们之间形成的一层绝缘材料，所述结构还包括在所述绝缘材料层中形成的介质金属接触过孔，用来电连接所述第一金属和第二金属导体，其中所述金属接触过孔包括围绕所述金属接触过孔的金属衬里材料，所述金属衬里的一部分部分延伸进入所述第一和第二金属层的相邻的金属层，以互锁关系来增强所述半导体互连结构的机械强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410094953.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
