[发明专利]一种功率MOS器件的测试方法及实现该方法的产品无效
| 申请号： | 200410093189.X | 申请日： | 2004-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1790656A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 陈志伟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26;G01R1/073 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种功率MOS器件的测试方法和实现该方法的产品，对多个器件进行同时测试，将封装后良品率可能较低的硅片在硅片测试阶段发现出来，并进行全数芯片的测试，剔除不良芯片，从而避免了过多的不良芯片封装成本的浪费。本发明可用于功率MOS器件的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mos 器件 测试 方法 实现 产品 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOS器件的测试方法，其特征在于：第一步，将待测芯片用相同探针并联后连接到测试机的Gate Sense，Gate Force，Source Sense以及Source Force端；第二步，同时对硅片上的多个器件进行测试；第三步，挑出良品率较低的硅片；第四步，对良品率较低的硅片进行全数芯片测试；第五步，将不良的芯片剔除。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410093189.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：移动通讯装置
- 下一篇：光盘倾斜状态检测装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
