[发明专利]半导体器件结构及其制造工艺有效
| 申请号： | 200410092680.0 | 申请日： | 2004-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1630077A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈行聪;斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯;马修·伊尔·科尔伯恩;蒂莫西·约瑟夫·达尔顿;杰弗里·科蒂斯·海德里克;黄遏明;考什克·阿伦·库马尔;迈克尔·怀恩·雷恩;凯利·马龙;昌德拉塞克哈尔·纳拉扬;萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔;萨姆巴斯·普鲁肖萨曼;罗伯特·罗森伯格;克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格;虞蓉卿 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构的初始子集，在FEOL半导体衬底上包括：a.与该FEOL衬底电连接的铜通孔层，并且还包括固体永久的低K电介质材料，该材料在处理温度范围内是不可热分解的；c.牺牲材料，其位于该固体永久的低K电介质材料上的线路层中，在加热处理下被分解和去除；d.在该牺牲材料上的气体可渗透的硬掩模；e.在该硬掩模层处具有上表面并且与该通孔层电连接的铜布线；和f.在该铜布线上表面上的薄的保护帽盖。
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