[发明专利]半导体设备无效
| 申请号： | 200410086429.3 | 申请日： | 2004-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1664954A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 黑木浩二 | 申请（专利权）人： | 沖电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;G11C7/00;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体设备，是一种熔丝选择电路方式的半导体设备。这种半导体设备的结构包括一个输入、均与输入连接的一个功能选择熔丝部分和一个复位控制电路部分以及一个与功能选择熔丝部分连接的输出。通过切断功能选择熔丝部分的第一熔丝来转换功能。另外，通过切断复位控制电路部分的第二熔丝，可以将熔丝选择电路的功能恢复到第一熔丝没有断开的功能。所以，生产率可以与接合熔丝法相同，而芯片面积会比使用接合熔丝法时的芯片面积要小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
1、一种半导体设备，其特征在于其包括：一个输入；一个功能选择熔丝部分，连接到输入；一个复位控制电路部分，连接到输入；以及一个输出，连接到功能选择熔丝部分，其中，功能选择熔丝部分还包括一个第一P沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管，一个第一N沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管，一个第二N沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管，一个第一熔丝和一个电压调整电路，其中，输入连接到第一P沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管和第一N沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极，通过第一熔丝和第二N沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的漏极，第一P沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的漏极连接到第一N沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的漏极，其中第一P沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源极连接到电源终端，第一和第二N沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源极连接到地端，第一P沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的漏极通过电压调整电路连接到输出，输入还通过复位控制电路部分连接到第二N沟道型金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极。
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