[发明专利]多层结构键合密封保护式电容压力传感器及制造方法

摘要

多层结构键合密封保护式电容压力传感器及制造方法，涉及一种压力传感器。提供密封特性好、性能稳定、承受过压能力强、线性度和灵敏度高、耗能低的传感器和通用性好、制作成本低的工艺方法。设有主硅片、玻璃衬底、密封玻璃、保护硅片、硅膜片电极和电容腔电极。将主硅片清洗、甩干、氧化、刻蚀电容腔，再扩散，形成膜片的P+层或PN结；制作出金属电极；在金属电极上制作绝缘玻璃；将主硅片与玻璃片键合；将用作密封玻璃的双面抛光的玻璃片与保护硅片键合；将键合后的密封玻璃与隔离保护墙静电键合。采用两片硅和两片玻璃键合结构，采用多层结构静电键合工艺密封电容腔体来制作电容式微型压力传感器的方法，有效地避开电容腔密封粘接这个难题。

主权项

1、多层结构键合密封保护式电容压力传感器，其特征在于设有主硅片，主硅片的下表面为硅膜片，硅膜片上设压力感受膜片，在主硅片的下表面设有电容腔体，在压力感受膜片周边设隔离保护墙，在压力感受膜片一侧的主硅片上设敞开口；玻璃衬底，玻璃衬底的上表面为抛光面，并与主硅片的下表面键合；密封玻璃，用于密封电容腔体，密封玻璃的下表面与主硅片上的隔离保护墙的表面键合形成密封腔体；保护硅片，保护硅片的上表面与密封玻璃的下表面键合；硅膜片电极，设于主硅片敞开口的硅膜片上，并由引出线连接形成电容的一个引出电极；电容腔电极，设于玻璃衬底的上表面上，上表面为抛光面，并由引出线连接形成电容的另一引出电极。